面向高端市場：三星量產30nm制程內存
韓國三星公司近日宣佈將開始量產基於30nm制程4Gb密度DDR3內存芯片的32GB內存條，這款內存條產品將主要面向雲計算以及高檔服務器應用。相比之前的40nm制程4Gb DDR3產品,三星30nm制程4Gb DDR3內存芯片的產出量可提升大約50%。
在一年前啟動40nm級別制程4Gb DDR3內存芯片的量產後，三星於今年2月份已經開始量產30nm制程4Gb密度DDR3內存芯片產品，兩個月之後的四月份，三星又推出了總容量16GB的DDR3內存條產品，這種產品主要面向面向服務器製造商。
另外，不久前三星還剛剛推出了基於30nm制程 4Gb密度的LPDDR2內存芯片產品（面向移動設備）。而本月三星又推出了基於30nm制程4Gb密度DDR3內存芯片的這款32GB總容量的帶寄存器雙線（RDIMM）內存條,以及8GB容量的筆記本用SODIMM內存條。其基於30nm制程內存芯片的產品線基本已經完備。
三星這次推出的新款32GB容量RDIMM DDR3內存條額定工作電壓1.35V，峰值數據傳輸率1866 Mbits，性能比40nm制程32GB RDIMM內存條的1333Mbits（工作電壓1.5V）提升了50%。另外，8GB SO-DIMM DDR3內存條的工作電壓則為1.5V，峰值數據傳輸率為2133Mbits。
據三星預計，2012年三星將有10%的內存芯片產品是基於4Gb及更高容量密度的芯片。
據IHS市調公司的統計，4Gb內存芯片的銷量到2012年的市場佔有率將達到10%左右，1314年這個數字則將先後提升至35%和57%。
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